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问题:

[单选] 下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()

A . A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
B . B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C . C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D . D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

要在一个示波器的屏幕上同时显示两个信号的波形,可采用那些方法? 下列关于连续法和剩磁法的叙述中,正确的是() A.由于电源的允许通电时间短,采用一边通电几次、一边施加磁悬液的方法,这不是正常的连续法操作。 B.剩磁法适用于焊接缺陷的探伤;。 C.剩磁法要用直流电,如用交流电,必须采用断电相位控制器;。 D.A和C。 为什么步进电机的力矩会随转速的升高而下降? 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同? 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是() A.缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小。 B.在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响。 C.交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小。 D.在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;。 E.除A以外都对。 下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()
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