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问题：

[单选] 用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了（）的原理。

pn结理论。欧姆定律。库仑定律。四探针技术。

参考答案

问题：

[单选] 如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

扩散剂总量。压强。温度。浓度。

参考答案

问题：

[单选] He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。

活跃杂质。快速扩散杂质。有害杂质。扩散杂质。

参考答案

问题：

[单选] 下列哪些元素在硅中是快扩散元素：（）。

Na。B。P。As。

参考答案

问题：

[单选] 通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。

再分布。等表面浓度扩散。预淀积。等总掺杂剂量扩散。

参考答案

问题：

[单选] 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。

耐热陶瓷器皿。金属器皿。石英舟。玻璃器皿。

参考答案

问题：

[单选] 半导体硅常用的施主杂质是（）。

锡。硫。硼。磷。

参考答案

问题：

[单选] 化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是（）。

锡。硼。磷。锰。

参考答案

问题：

[单选] 半导体硅常用的受主杂质是（）。

锡。硫。硼。磷。

参考答案

问题：

[多选] 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

硼。锡。锑。磷。砷。

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