问题：
[问答题,论述题] 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对溅射产额产生的影响。
问题：
[问答题,论述题] 常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
问题：
[问答题,论述题] 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5各步的含义。
问题：
[问答题,论述题] 对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
问题：
[问答题,论述题] CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
问题：
[问答题,论述题] 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
问题：
[问答题,论述题] 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
问题：
[问答题,论述题] 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
问题：
[问答题,论述题] 下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。
问题：
[问答题,论述题] 什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
